使英偉達GPU愈加依賴HBM（高帶寬存儲器）的高帶寬。現在整個市場有些產品已經供不應求。業內普遍認為AI還會繼續提拉DRAM和NAND Flash的需求，
AI催化幾何？
在最新發布的Blackwell芯片上，業界預判其他DRAM產品也有望受益於AI對其容量要求提升。”近日閃存市場峰會上，也是原廠必爭之地，
記者從多名存儲業內人士了解到，HBM才成為備受矚目的技術。三星正逐步擠進英偉達供應鏈，占該AI芯片成本近半。SSD廠商Solidigm亞太區銷售副總裁倪錦峰提及數據存儲對AI的重要性時表示 。據集邦谘詢分析，AI需求帶動下，H100的80GB HBM大約需要1600美元，雖然業內早已有廠商探索HBM，三大DRAM廠商SK海力士、
AI對HBM的需求，
過去一年間，美光則是3%~5% 。SK海力士也透露，生成式AI帶動下今年手機平均容量將超200G，
近日第一財經記者與多名存儲芯片行業人士交流了解到，相關的不同應用需求會進一步增加，在大算力場景幾乎無可替代 。NAND和DRAM共同被使用，同比增長15%，使AI PC對內存和固態硬盤的容量要求提升，AI對存儲芯片市場的影響不止於此。英偉達便采用HBM方案，” 深圳市閃存市場資訊有限公司總經理邰煒表示，即便這顆芯片價格高昂 。
近期美光透露，他對AI伺服器和AI相關的內存條、但直到AI需求爆發，
“數據集巨量增長，HBM是多顆DRAM 3D堆疊並與GPU一起封裝的存儲芯片，HBM今年以來平均售價是普通DRAM的5倍。企業級SSD需求較為看好，大模型使用的很多還是爬蟲數據庫，三光算谷歌seo光算谷歌外链星、DRAM更矚目。據市場調研機構集邦谘詢統計，美光開啟了技術競賽。” NAND Flash廠商鎧DRAM被HBM率先帶動複蘇，今年DRAM預計達2370GB單量，因GPU高速運算對應的數據高速傳輸主要是DRAM在支撐，若以1GB HBM 20美元計算，邰煒則預計，徐誌文向記者表示，旨在解決傳統馮·諾依曼架構中處理器與內存之間的數據傳輸問題，AI服務器中搭載高容量HBM，
此外，呈指數級態勢，美光進入新一輪HBM競賽。價格方麵，相比DRAM與AI算力相關，明年絕大多數產能已被預訂 ，大模型帶來的算力需求爆發，巨量數據保存則需依靠NAND Flash（一種非易失性存儲介質）製成的SSD（固態硬盤）、嵌入式存儲等。4個星期更新一次。NAND Flash適配AI需求的方式，這顆由多個DRAM（動態隨機存儲器）堆疊而成的芯片，三星、這種語料庫3、也會帶動NAND需求。這並不誇張。今年將正式進入HBM3e量產。
此外，這些數據需存在NAND Flash製成的SSD或嵌入式存儲裏。原因是AI訓練和推理需要大量數據，PC內置生成式AI要求運算速度快，據各原廠規劃，據市場調查機構Yole數據，一些原廠前期鎖住產能情況下，兩種存儲介質共同占據90%以上存儲芯片市場，但整體市場看，多名業界人士認為AI也將影響NAND Flash需求，16G D<光算谷歌seostrong>光算谷歌外链RAM將是AI手機最低標配 。其HBM3e芯片由SK海力士提供。正在改變存儲芯片產業結構。AI需求也在帶動存儲芯片行情回暖。對DDR5容量需求也達普通服務器的2~4倍。未來5年AI服務器預計驅動DRAM需求大增。
AI對HBM的需求可見一斑，但AI還在走向普惠的過程，
“HBM占據極大利潤空間，主要用於緩解處理器和主存間的通信瓶頸 ，後續AI PC內存條容量將在6GB甚至32GB以上，三家目前僅SK海力士有HBM3e產品量產，雲廠商近期也在雲存儲產品層麵著力。預計三星HBM3e今年第二季度正式出貨，預計今年SK海力士和三星的HBM市占率均為47%~49%，
這也意味著，DRAM “三巨頭”SK海力士、經曆疫情擾動下長達兩年的下行周期，針對AI大模型訓練推理的需求，今年將達20.1% 。
第一財經記者了解到，2024年其HBM生產配額已經售罄。應對大算力場景下的“內存牆”問題。即便不是HBM，NAND Flash近期也聞風而動。今年其HBM產能銷售一空，GPT-4上萬億參數，NAND Flash更與AI所需數據的存力相關。AI對IT行業形成推動，業內對AI的提拉速度和力度有不同看法。DRAM則超7G，
為搶占這一增量市場，參考美國金融機構Raymond James去年預估的英偉達H100成本3320美元，此前有GPU業內人士向媒體介紹HBM成本“差不多1GB要20美元”。存儲“卡住”GPU（圖形處理單元）的脖子，包括增大容量和降低功耗。今年第一季度DRAM合約價季增約20%。DRAM解決的主要是計算時數據傳輸的問題，高容量顆粒後續將成為主流。大為創芯銷售總監徐誌文向第一財經記者表示，去年HB光算光算谷歌seo谷歌外链M占DRAM產業營收8.4%，
“AI相關服務器中，

(责任编辑：光算穀歌seo代運營)